一、設備名稱、型號： 12寸晶圓自動管式爐

二、系統組成
2.1FAB上下料
 2個上下料口(并列)
 FOUP ID 識別
 Wafer位置識別
 操作啟動開關

2.2晶元輸送
2.2.1FBA開蓋
   FOUP固定,解鎖,取蓋
2.2.2晶元輸送機械手
   雙臂式傳輸
   高純度AL2O3托盤
   按規劃路徑將晶元從FOUP傳送至爐體裝  料腔中
2.2.3爐體開蓋
?將爐體裝料腔腔門打開
2.3爐體(熱處理)
2.3.1加熱腔
  外部采用不銹鋼外套,中部采用FEC加熱器和相應保溫材料,內部為石英爐管
  多層環形加熱器,有效使用高度 > 1000mm
  底部通入工藝氣氛,O2和N2可編程選擇
  煙氣冷凝回收
  底部具有自保護蓋體功能
  高溫焦油裂解功能
  降溫方式：鼓風機將空氣吹入爐管與加熱器之間的夾腔，強制風冷降溫。
  多路多層環形進氣,保證爐膛的冷卻可控
2.3.2裝料腔
石英支架,處理量為100PCS 12inch晶圓
升降采用移動式滑臺機構（無桿電缸）,

2.4控制柜
2.4.1氣源箱
?對于空氣,O2,N2進行邏輯控制
?調節各路進氣的流量
2.4.2電源箱
?動力配電
?儀器儀表放置
?氧含量分析系統可選
2.5控制系統
?人機界面采用觸摸屏方式
?核心控制器采用嵌入式控制器
?超溫保護為獨立檢測器件
?具有氧含量檢測功能
?運動控制為伺服/步進控制單元
?傳輸為專業晶元傳輸機器人
?軟件具有功能:溫度控制,氣氛控制,工藝編輯,數據記錄,圖表顯示.
三、基本配置
3.1處理產品:12inch 晶圓
3.2處理量:90PCS/管，共180PCS
3.3加熱器:圓形FEC加熱板
3.4加熱區域:>1000mm
3.5外形尺寸:
    本體:2500×3500×3500(W×D×H)
    控制柜:800×600×2200(W×D×H)
3.6上料口:2
3.7機械手:1

四、技術指標
4.1長期使用溫度: 350℃，溫度上限：750℃；
4.2升溫速率:>30℃/min
4.3降溫速率:>5℃/min
4.4加熱功率：36kW(單爐)；
4.5加熱溫區: 3個；
4.6爐溫均勻性: ±7℃（350℃恒溫）；
4.7程序控制：P.I.D控制；
4.8溫度控制方式: SSR
4.9控溫熱偶: K分度；
4.10氣氛: N2/O2；
4.11爐膛材料：石英玻璃；
4.12保溫材料：陶瓷纖維；
4.13氣氛控制：多路流量計調節進氣，流量計量程為24～240L/min；
4.14排氣系統：在頂部設置排氣煙囪，用于廢氣排放,回收；
4.15設備重量：約2t；

*技術細節變動之處，恕不另行通知，具體設備參數以咨詢結果為準。

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